TK35N65W,S1F

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部品番号 TK35N65W,S1F
LIXINC Part # TK35N65W,S1F
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 650V 35A TO247
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TK35N65W,S1F PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK35N65W,S1F 仕様

部品番号:TK35N65W,S1F
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:DTMOSIV
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:35A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.5V @ 2.1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:100 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4100 pF @ 300 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):270W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-247
パッケージ・ケース:TO-247-3

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