参考まで
部品番号 | NDD60N360U1-35G |
LIXINC Part # | NDD60N360U1-35G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 11A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NDD60N360U1-35G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NDD60N360U1-35G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 790 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 114W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
TN5335N8-G | MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA | 917 注文の詳細 |
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NP80N03MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 | 1251 注文の詳細 |
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AUIRFSL8403 | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 3128 注文の詳細 |
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FQP2N80 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 3841 注文の詳細 |
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NVMFS5C404NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN | 999 注文の詳細 |
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BSS84PWH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 | 37639 注文の詳細 |
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IXTQ48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO3P | 910 注文の詳細 |
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DMN1019UVT-13 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | 956 注文の詳細 |
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IRF5305STRRPBF | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 848 注文の詳細 |
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IXFA16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO263 | 1170 注文の詳細 |
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STF33N60M6 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP | 1497 注文の詳細 |
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DN2535N3-G-P003 | MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 | 974 注文の詳細 |
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DMN2230UQ-13 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 110912 注文の詳細 |
在庫あり | 33684 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.08000 | $1.08 |
525 | $1.08000 | $567 |
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