参考まで
部品番号 | NVMFS6B14NWFT1G |
LIXINC Part # | NVMFS6B14NWFT1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 5DFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NVMFS6B14NWFT1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NVMFS6B14NWFT1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 15mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.3 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
NVR5124PLT1G | MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 | 858 注文の詳細 |
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NTE4153NT1G | MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 | 964 注文の詳細 |
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AUIRF2903ZSTRL | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 849 注文の詳細 |
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STD130N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | 891 注文の詳細 |
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SQJ464EP-T2_GE3 | MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 | 937 注文の詳細 |
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RF1K49092 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 853 注文の詳細 |
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TPIC5424LDW | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1530 注文の詳細 |
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IRFI820GPBF | MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3 | 1765 注文の詳細 |
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BUK7516-55A,127 | PFET, 65.7A I(D), 55V, 0.016OHM, | 5299 注文の詳細 |
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IRFI830GPBF | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 | 1488 注文の詳細 |
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DMN10H170SFGQ-7 | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 | 925 注文の詳細 |
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DMP2035UVT-7 | MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 | 1909 注文の詳細 |
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IPP120P04P4L03AKSA2 | MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 | 939 注文の詳細 |
在庫あり | 45730 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.15000 | $1.15 |
1500 | $ 0.93483 | $1402.245 |
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