参考まで
部品番号 | NTD85N02R-001 |
LIXINC Part # | NTD85N02R-001 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD85N02R-001 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD85N02R-001 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 24 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 85A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17.7 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.05 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IPT60R050G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF | 4780 注文の詳細 |
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BSH205G2R | MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB | 23737 注文の詳細 |
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STD30NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 28A DPAK | 2302 注文の詳細 |
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3LN01SS-TL-H | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP | 432944 注文の詳細 |
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IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB | 927 注文の詳細 |
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FDFMA2P859T | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | 15336 注文の詳細 |
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IRF121 | MOSFET N-CH 60V 8A TO204AA | 883 注文の詳細 |
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FDD5N50TF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 880 注文の詳細 |
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IRFR540ZTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 865 注文の詳細 |
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CDM22010-650 SL | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 1556 注文の詳細 |
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IRFH5210TRPBF | MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN | 961 注文の詳細 |
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STWA48N60M6 | MOSFET N-CH 600V 39A TO247 | 916 注文の詳細 |
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CSD18503Q5A | MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON | 959 注文の詳細 |
在庫あり | 38895 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.17000 | $0.17 |
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