参考まで
部品番号 | IRFB3256PBF |
LIXINC Part # | IRFB3256PBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFB3256PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFB3256PBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.4mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 150µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 195 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6600 pF @ 48 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IRF1404LPBF | MOSFET N-CH 40V 162A TO262 | 7905 注文の詳細 |
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BSC028N06NSSCATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON | 4835 注文の詳細 |
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2SK3107-T1-A | MOSFET N-CH 30V 100MA SC75-3 USM | 9938 注文の詳細 |
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BSP171PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 | 897 注文の詳細 |
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IPB049N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | 1882 注文の詳細 |
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HUFA76423D3ST | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 9504 注文の詳細 |
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IXTK400N15X4 | MOSFET N-CH 150V 400A TO264 | 928 注文の詳細 |
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STF12N50M2 | MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP | 984 注文の詳細 |
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IRF300P226 | MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC | 852 注文の詳細 |
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AUIRF4905STRL | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK | 2400 注文の詳細 |
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SIDR668ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK | 6467 注文の詳細 |
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UPA2717GR-E1-AT | P-CHANNEL POWER MOSFET | 8472 注文の詳細 |
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AOB292L | MOSFET N-CH 100V 105A TO263 | 805 注文の詳細 |
在庫あり | 11807 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.39000 | $3.39 |
1000 | $1.67784 | $1677.84 |
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