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部品番号 | IPI600N25N3GAKSA1 |
LIXINC Part # | IPI600N25N3GAKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPI600N25N3GAKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPI600N25N3GAKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 250 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 60mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 90µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 29 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.35 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 136W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
SUD50N03-06AP-E3 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | 1852 注文の詳細 |
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FQPF13N06 | MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F | 3164 注文の詳細 |
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TK560P65Y,RQ | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK | 2386 注文の詳細 |
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TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | 1391 注文の詳細 |
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NTTFS3A08PZTAG | MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN | 2841 注文の詳細 |
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BUK763R9-60E,118 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 6832 注文の詳細 |
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FCH47N60-F085 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 | 810 注文の詳細 |
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STS11N3LLH5 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | 925 注文の詳細 |
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IPP80R600P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 | 1064 注文の詳細 |
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PHK31NQ03LT,518 | MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO | 828 注文の詳細 |
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IPW50R350CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5239 注文の詳細 |
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AO4492 | MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC | 826 注文の詳細 |
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SPB02N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 845 注文の詳細 |
在庫あり | 13340 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.21000 | $1.21 |
500 | $1.21000 | $605 |
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