参考まで
部品番号 | FDFMA2P853T |
LIXINC Part # | FDFMA2P853T |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDFMA2P853T PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDFMA2P853T |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 435 pF @ 10 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力 (最大): | 1.4W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | MicroFET 2x2 Thin |
パッケージ・ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
NTLUS4930NTAG | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN | 36902 注文の詳細 |
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STB36NF06LT4 | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | 902 注文の詳細 |
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NVMFS5C645NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN | 972 注文の詳細 |
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IPP65R600C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 | 356204 注文の詳細 |
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STD7ANM60N | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | 1241 注文の詳細 |
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NTD6415AN-1G | MOSFET N-CH 100V 23A IPAK | 1553 注文の詳細 |
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2SK4088LS-1E | MOSFET N-CH 650V 7.5A TO220F-3FS | 2073 注文の詳細 |
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APT50M75LFLLG | MOSFET N-CH 500V 57A TO264 | 865 注文の詳細 |
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IPW60R165CPFKSA1 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 | 1180 注文の詳細 |
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RM45N600T7 | MOSFET N-CH 600V 44.5A TO247 | 967 注文の詳細 |
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RCJ050N25TL | MOSFET N-CH 250V 5A LPT | 1802 注文の詳細 |
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SIHU7N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 7A TO251 | 816 注文の詳細 |
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DMT6008LFG-13 | MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 | 961 注文の詳細 |
在庫あり | 48722 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.25000 | $0.25 |
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