参考まで
部品番号 | RQ3E180GNTB |
LIXINC Part # | RQ3E180GNTB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ3E180GNTB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RQ3E180GNTB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.3mOhm @ 18A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22.4 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1520 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-HSMT (3.2x3) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
FDMC8010ET30 | MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33 | 4527 注文の詳細 |
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2SJ651 | MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML | 5427 注文の詳細 |
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BSP126/S911115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 206901 注文の詳細 |
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IPI80N06S207AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3-1 | 1436 注文の詳細 |
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IRFB4610PBF | MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB | 4135 注文の詳細 |
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TK9P65W,RQ | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK | 843 注文の詳細 |
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STP11NK40ZFP | MOSFET N-CH 400V 9A TO220FP | 1695 注文の詳細 |
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SCT3080KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 | 1842 注文の詳細 |
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AUIRFN7107TR | AUTOMOTIVE POWER MOSFET | 9806 注文の詳細 |
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IXTQ64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO3P | 1676 注文の詳細 |
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STD25P03LT4G | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK | 8162 注文の詳細 |
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ZXMN10A08E6TC | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 | 20900 注文の詳細 |
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DMG3406L-13 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | 138559 注文の詳細 |
在庫あり | 13955 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.65000 | $0.65 |
3000 | $0.22765 | $682.95 |
6000 | $0.21980 | $1318.8 |
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