NTMFS4C05NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFS4C05NT1G

NTMFS4C05NT1G

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部品番号	NTMFS4C05NT1G
LIXINC Part #	NTMFS4C05NT1G
メーカー	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	NTMFS4C05NT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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NTMFS4C05NT1G 仕様

部品番号:	NTMFS4C05NT1G
ブランド:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	11.9A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:	3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	1972 pF @ 15 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	770mW (Ta), 33W (Tc)
動作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ・ケース:	8-PowerTDFN

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