VS-10ETF02S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF02S-M3

VS-10ETF02S-M3

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部品番号	VS-10ETF02S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF02S-M3
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	VS-10ETF02S-M3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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VS-10ETF02S-M3 仕様

部品番号:	VS-10ETF02S-M3
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	200 V
電流 - 平均整流 (io):	10A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.2 V @ 10 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	200 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	100 µA @ 200 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ:	D2PAK
動作温度 - ジャンクション:	-

SS18-TP	DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214AC	13284 注文の詳細
DMA30IM1600PZ-TUB	POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER	914 注文の詳細
CS1J-E3/I	DIODE GPP 600V 1.0A DO-214AC	45101 注文の詳細
HS5F R7G	DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB	885 注文の詳細
SD101CW-E3-18	DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD123	822 注文の詳細
PD3S120L-7	DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERDI323	54666 注文の詳細
ES1JLW RVG	DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W	2572 注文の詳細
ES3HB M4G	DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA	949 注文の詳細
VS-307U160	DIODE GP 1.6KV 330A DO205AB	822 注文の詳細
RB162M-30TR	DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU	3846 注文の詳細
MBRB1045HE3_A/I	DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB	967 注文の詳細
VS-MBR745-M3	DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC	1645 注文の詳細
SS24-M3/52T	DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AA	887 注文の詳細