S1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

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部品番号	S1MHE3_A/I
LIXINC Part #	S1MHE3_A/I
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	S1MHE3_A/I PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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S1MHE3_A/I 仕様

部品番号:	S1MHE3_A/I
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	Automotive, AEC-Q100
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	1000 V
電流 - 平均整流 (io):	1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.1 V @ 1 A
スピード:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	1.8 µs
電流 - 逆漏れ @ vr:	5 µA @ 1000 V
静電容量 @ vr, f:	12pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ:	DO-214AC (SMA)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C

ES2GAHR3G	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC	988 注文の詳細
SD103AWS-G3-18	DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD323	4322 注文の詳細
NRVTSS5100ET3G	DIODE SCHOTTKY 100V 5A SMB	989 注文の詳細
MUR320SBHM4G	DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA	951 注文の詳細
BYV38-TR	DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57	23803 注文の詳細
MURS320T3G	DIODE GEN PURP 200V 3A SMC	63434 注文の詳細
1N4933G A0G	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	975 注文の詳細
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UFS520JE3/TR13	DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB	928 注文の詳細