参考まで
| 部品番号 | SF1008G C0G |
| LIXINC Part # | SF1008G C0G |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SF1008G C0G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SF1008G C0G |
| ブランド: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 600 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 10A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 5 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 35 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 10 µA @ 600 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 50pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
 |
MBRS3201PT3G | RECTIFIER DIODE | 863 注文の詳細 |
 |
RGP10D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | 6330 注文の詳細 |
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CD214B-R2800 | DIODE GEN PURP 800V 2A SMB | 865 注文の詳細 |
 |
DLA10IM800UC-TRL | DIODE GEN PURP 800V 10A TO252 | 982 注文の詳細 |
 |
S2M M4G | DIODE GEN PURP 2A DO214AA | 842 注文の詳細 |
 |
UFS320JE3/TR13 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | 911 注文の詳細 |
 |
1N270 | DO 7 GOLD GERM. DIODE 100V | 3593 注文の詳細 |
 |
NTE649G | R-1A 400V 150NS SMT CASE | 7353 注文の詳細 |
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CDBA3100LR-HF | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC | 966 注文の詳細 |
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MUR110SHM4G | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA | 875 注文の詳細 |
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SR810HA0G | DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO201AD | 890 注文の詳細 |
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JAN1N6623US | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | 803 注文の詳細 |
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IDV08E65D2XKSA1 | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | 937 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10873 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.42554 | $0.42554 |
| 18000 | $0.31065 | $5591.7 |
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