参考まで
部品番号 | S3MHE3_A/I |
LIXINC Part # | S3MHE3_A/I |
メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | S3MHE3_A/I PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 25 - Oct 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | S3MHE3_A/I |
ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 1000 V |
電流 - 平均整流 (io): | 3A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.15 V @ 2.5 A |
スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 2.5 µs |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 10 µA @ 1000 V |
静電容量 @ vr, f: | 60pF @ 4V, 1MHz |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | DO-214AB, SMC |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-214AB (SMC) |
動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
D5G-T | DIODE GEN PURP 600V 1A T1 | 5948 注文の詳細 |
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SK36A | 3A -60V - SMA (DO-214AC) - RECTI | 1166 注文の詳細 |
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P1000S | DIODE STD D8X7.5 1200V 10A | 9882 注文の詳細 |
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SS22FA | DIODE SCHOTTKY 20V 2A SOD123FA | 966 注文の詳細 |
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JANTX1N6622US | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | 970 注文の詳細 |
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BAT42W-HE3-18 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123 | 838 注文の詳細 |
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MUR420S V6G | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB | 925 注文の詳細 |
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BYG22B-E3/TR3 | DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | 877 注文の詳細 |
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DHG60I600HA | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 | 825 注文の詳細 |
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VS-10ETS08-M3 | DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC | 839 注文の詳細 |
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RMPG06BHE3_A/53 | DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06 | 847 注文の詳細 |
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EGF1C-E3/67A | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | 975 注文の詳細 |
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UF4004-E3/54 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | 8577 注文の詳細 |
在庫あり | 10913 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
3500 | $0.19638 | $687.33 |
7000 | $0.18535 | $1297.45 |
10500 | $0.17983 | $1888.215 |
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