参考まで
| 部品番号 | S1BLHR3G |
| LIXINC Part # | S1BLHR3G |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | S1BLHR3G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | S1BLHR3G |
| ブランド: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 100 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.1 V @ 1 A |
| スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 1.8 µs |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 100 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 9pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-219AB |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | Sub SMA |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 175°C |
 |
BAS21HMFHT116 | DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3 | 7818 注文の詳細 |
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CMR1-06 BK PBFREE | DIODE GEN PURP 600V 1A SMB | 7417 注文の詳細 |
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DFLR1200-7 | DIODE GP 200V 1A POWERDI123 | 2147484469 注文の詳細 |
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ES3B-M3/57T | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | 996 注文の詳細 |
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SARS02V1 | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | 970 注文の詳細 |
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PMEG6002ELDYL | DIODE SCHOTTKY 60V 200MA SOD882D | 831 注文の詳細 |
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SF61G R0G | DIODE GEN PURP 50V 6A DO201AD | 830 注文の詳細 |
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GP10M-4007HE3/73 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL | 848 注文の詳細 |
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IDW40E65D1 | IDW40E65 - SILICON POWER DIODE | 842 注文の詳細 |
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GPP20M-E3/73 | DIODE GEN PURP 1KV 2A DO204AC | 8096 注文の詳細 |
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SBR2U10LP-7 | DIODE SBR 10V 2A X1-DFN1411-3 | 862 注文の詳細 |
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GR1G-F1-0000HF | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 966 注文の詳細 |
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STTH3010GY-TR | DIODE GEN PURP 1KV 30A D2PAK | 1932 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10806 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.07539 | $0.07539 |
| 3600 | $0.07539 | $271.404 |
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