UGB8JT-E3/81

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部品番号 UGB8JT-E3/81
LIXINC Part # UGB8JT-E3/81
メーカー Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー ディスクリート半導体ダイオード - 整流器 - シングル
説明 DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル UGB8JT-E3/81 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 27 - Oct 31 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

UGB8JT-E3/81 仕様

部品番号:UGB8JT-E3/81
ブランド:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):600 V
電流 - 平均整流 (io):8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:1.75 V @ 8 A
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):50 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:30 µA @ 600 V
静電容量 @ vr, f:-
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-263AB
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C

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