1SS196(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 1SS196(TE85L,F)

1SS196(TE85L,F)

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部品番号	1SS196(TE85L,F)
LIXINC Part #	1SS196(TE85L,F)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	1SS196(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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1SS196(TE85L,F) 仕様

部品番号:	1SS196(TE85L,F)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	80 V
電流 - 平均整流 (io):	100mA
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.2 V @ 100 mA
スピード:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間 (trr):	4 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	500 nA @ 80 V
静電容量 @ vr, f:	3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ:	SC-59-3
動作温度 - ジャンクション:	125°C (Max)

MBRB1645HE3_A/P	DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB	816 注文の詳細
SFAF1606GHC0G	DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AC	866 注文の詳細
RS3M V7G	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	864 注文の詳細
RGP10J	DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL	5897 注文の詳細
NSR02100HT1G	DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323	969 注文の詳細
JANTX1N4150-1	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35	905 注文の詳細
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MUR160/54	DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC	970 注文の詳細
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