US1JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

拡大する

参考まで

部品番号	US1JHE3_A/H
LIXINC Part #	US1JHE3_A/H
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	US1JHE3_A/H PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
支払い
運送

US1JHE3_A/H 仕様

部品番号:	US1JHE3_A/H
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	600 V
電流 - 平均整流 (io):	1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.7 V @ 1 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	75 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	10 µA @ 600 V
静電容量 @ vr, f:	10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ:	DO-214AC (SMA)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C

S5T-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	838 注文の詳細
CMR2-02 BK PBFREE	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	933 注文の詳細
SS1H4LW RVG	DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W	8842 注文の詳細
ES2G-E3/5BT	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA	2974 注文の詳細
ES2GA	2A -400V - SMA (DO-214AC) - RECT	1240 注文の詳細
BYG10J-M3/TR3	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A	800 注文の詳細
MURS230T3	RECTIFIER DIODE	39765 注文の詳細
FE2D	DIODE SFR DO-15 200V 2A	818 注文の詳細
RS1BL R3G	DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA	825 注文の詳細
NTE5987	R-200 PRV 40A ANODE CASE	910 注文の詳細
1SS352,H3F	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2	175195 注文の詳細
SR1203HR0G	DIODE SCHOTTKY 30V 12A DO201AD	887 注文の詳細
RB055LAM-40TR	DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM	953 注文の詳細