参考まで
| 部品番号 | IDW40G65C5BXKSA2 |
| LIXINC Part # | IDW40G65C5BXKSA2 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IDW40G65C5BXKSA2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IDW40G65C5BXKSA2 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | CoolSiC™+ |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 650 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 20A (DC) |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 20 A |
| スピード: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 0 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 210 µA @ 650 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 590pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-3 |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 175°C |
 |
S1MLHR3G | DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA | 871 注文の詳細 |
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1N3879 | DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 | 1715 注文の詳細 |
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VF20150S-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 150V ITO220AB | 914 注文の詳細 |
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US1K-TP | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | 2423 注文の詳細 |
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VS-309UR250 | DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9 | 859 注文の詳細 |
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SA2G-E3/5AT | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC | 962 注文の詳細 |
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ES2DHM4G | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | 874 注文の詳細 |
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RB751S40T1G | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523 | 951 注文の詳細 |
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VSS8D2M15HM3/H | SCHOTTKY BARRIER RECT DO-221AD | 870 注文の詳細 |
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SICRB20650ATR | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | 857 注文の詳細 |
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SJPW-F6V | DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A SJP | 986 注文の詳細 |
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S1MDF-13 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT | 914 注文の詳細 |
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SF26G A0G | DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC | 9844 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11307 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $18.62000 | $18.62 |
| 240 | $18.62000 | $4468.8 |
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