参考まで
| 部品番号 | S1MLHR3G |
| LIXINC Part # | S1MLHR3G |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | S1MLHR3G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | S1MLHR3G |
| ブランド: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | - |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.1 V @ 1 A |
| スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 1.8 µs |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 1000 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 9pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-219AB |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | Sub SMA |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 175°C |
 |
1N3879 | DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 | 1664 注文の詳細 |
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VF20150S-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 150V ITO220AB | 827 注文の詳細 |
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US1K-TP | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | 2367 注文の詳細 |
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VS-309UR250 | DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9 | 889 注文の詳細 |
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SA2G-E3/5AT | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC | 929 注文の詳細 |
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ES2DHM4G | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | 859 注文の詳細 |
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RB751S40T1G | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523 | 909 注文の詳細 |
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VSS8D2M15HM3/H | SCHOTTKY BARRIER RECT DO-221AD | 860 注文の詳細 |
 |
SICRB20650ATR | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | 841 注文の詳細 |
 |
SJPW-F6V | DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A SJP | 900 注文の詳細 |
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S1MDF-13 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT | 980 注文の詳細 |
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SF26G A0G | DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC | 9801 注文の詳細 |
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UG1JPL-TP | ULTRAFAST RECTIFIERS 600V 1A SOD | 5890 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10830 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| 3600 | $0.06864 | $247.104 |
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