JAN1N5811US

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部品番号 JAN1N5811US
LIXINC Part # JAN1N5811US
メーカー Roving Networks / Microchip Technology
カテゴリー ディスクリート半導体ダイオード - 整流器 - シングル
説明 DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル JAN1N5811US PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5811US 仕様

部品番号:JAN1N5811US
ブランド:Roving Networks / Microchip Technology
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:Roving Networks / Microchip Technology
シリーズ:Military, MIL-PRF-19500/477
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):150 V
電流 - 平均整流 (io):6A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:875 mV @ 4 A
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):30 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:5 µA @ 150 V
静電容量 @ vr, f:60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:SQ-MELF, B
サプライヤー デバイス パッケージ:B, SQ-MELF
動作温度 - ジャンクション:-65°C ~ 175°C

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