参考まで
| 部品番号 | ES1PDHM3/85A |
| LIXINC Part # | ES1PDHM3/85A |
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | ES1PDHM3/85A PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | ES1PDHM3/85A |
| ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| シリーズ: | eSMP® |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 200 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 920 mV @ 1 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 25 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 200 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-220AA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-220AA (SMP) |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
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ES1C-M3/5AT | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC | 932 注文の詳細 |
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SBRD81045T4G | DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK | 819 注文の詳細 |
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SL02-M-18 | DIODE SCHOTTKY 20V DO219-M | 956 注文の詳細 |
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RS3K R7G | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | 876 注文の詳細 |
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STTH5L06B-TR | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | 4752 注文の詳細 |
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FES16BT | RECTIFIER DIODE | 885 注文の詳細 |
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1N4448WS-G3-18 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 | 949 注文の詳細 |
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VS-305URA160 | DIODE GP 1.6KV 330A DO205AB | 881 注文の詳細 |
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VS-6FR80 | DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA | 907 注文の詳細 |
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BAR65-02VH6327 | PIN DIODE | 877 注文の詳細 |
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BYG10Y-E3/TR | DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A | 837 注文の詳細 |
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KYZ35K6 | DIODE STD D12.77X6.6Z 600V 35A | 1359 注文の詳細 |
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SD103BWS-G3-08 | DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD323 | 938 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10113 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.49000 | $0.49 |
| 10000 | $0.17231 | $1723.1 |
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