参考まで
| 部品番号 | MRFE6VP5600HR5 |
| LIXINC Part # | MRFE6VP5600HR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRFE6VP5600HR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRFE6VP5600HR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 230MHz |
| 得: | 25dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 600W |
| 電圧 - 定格: | 130 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4H |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4H |
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CGH35015F | 15W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE | 944 注文の詳細 |
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BLS9G2729L-350U | RF MOSFET LDMOS 28V SOT502A | 873 注文の詳細 |
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2SK3737-5-TL-E | NCH 30MA 15V MOSFET | 53181 注文の詳細 |
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ARF466AG | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | 877 注文の詳細 |
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NE55410GR-T3-AZ | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | 37553 注文の詳細 |
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BLF8G19LS-170BVU | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | 942 注文の詳細 |
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MRF7S19100NR1 | FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4 | 943 注文の詳細 |
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BLP27M810Z | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | 1285 注文の詳細 |
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STAC4932F | TRANS RF PWR N-CH STAC244F | 882 注文の詳細 |
 |
PN5033 | TRANSISTOR PNP TH | 915 注文の詳細 |
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BLC9G20XS-160AVZ | RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753 | 1114 注文の詳細 |
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MRF8P20140WHR3 | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | 903 注文の詳細 |
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SD2933-03W | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 | 995 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11167 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $297.29000 | $297.29 |
| 50 | $114.76080 | $5738.04 |
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