参考まで
| 部品番号 | MRF7S21080HSR3 |
| LIXINC Part # | MRF7S21080HSR3 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF7S21080HSR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF7S21080HSR3 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2.17GHz |
| 得: | 18dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 800 mA |
| 電力出力: | 22W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S |
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BLF8G10LS-270,112 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | 848 注文の詳細 |
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MRF7S21080HR3 | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | 993 注文の詳細 |
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J111RLRP | SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET | 127873 注文の詳細 |
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BF909R,215 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3735 注文の詳細 |
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MRF1535NT1 | FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP | 1444 注文の詳細 |
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MRFE6S9201HSR5 | FET RF 66V 880MHZ NI-780S | 896 注文の詳細 |
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BLF8G27LS-140,118 | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | 891 注文の詳細 |
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CG2H80060D-GP4 | RF DISCRETE | 1056 注文の詳細 |
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BLM9D0910-05AMZ | BLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP | 1847 注文の詳細 |
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MRFX600HSR5 | TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V | 883 注文の詳細 |
 |
CE3514M4 | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | 976 注文の詳細 |
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MRF101AN-START | MRF101AN RF ESSENTIALS COMPONENT | 914 注文の詳細 |
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2SK1920-E | NCH 10V DRIVE SERIES | 47627 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10882 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $54.48000 | $54.48 |
| 250 | $ 44.24276 | $11060.69 |
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