参考まで
| 部品番号 | AFT27S012NT1 |
| LIXINC Part # | AFT27S012NT1 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFT27S012NT1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFT27S012NT1 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 728MHz ~ 2.7GHz |
| 得: | 20.9dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | 10µA |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 90 mA |
| 電力出力: | 13W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | PLD-1.5W |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PLD-1.5W |
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CG2H40025F | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | 2078 注文の詳細 |
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CG2H40035F | GAN HEMT FET 28V 35W DC-4.0GHZ | 1112 注文の詳細 |
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BLF989SU | BLF989S/SOT539/TRAY | 849 注文の詳細 |
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MRF300AN | RF MOSFET LDMOS 50V TO247 | 1364 注文の詳細 |
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MRFG35005NT1 | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD | 852 注文の詳細 |
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A2T07H310-24SR6 | FET RF 2CH 70V 880MHZ | 862 注文の詳細 |
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BLC9G27LS-151AVZ | RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583 | 973 注文の詳細 |
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CLF1G0035S-200PU | RF FET 50V 11DB SOT1228B | 807 注文の詳細 |
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MRF8HP21130HR5 | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 | 961 注文の詳細 |
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MRF6S27050HSR3 | RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE | 886 注文の詳細 |
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MRF9030LR1 | FET RF 68V 945MHZ NI-360 | 958 注文の詳細 |
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BLF6G13LS-250P,112 | RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST | 899 注文の詳細 |
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MRF6VP11KHR5 | RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4 | 971 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10911 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $23.64752 | $23.64752 |
| 1000 | $10.39714 | $10397.14 |
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