参考まで
| 部品番号 | MRFE6VP6300HSR5 |
| LIXINC Part # | MRFE6VP6300HSR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRFE6VP6300HSR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRFE6VP6300HSR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 230MHz |
| 得: | 26.5dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 300W |
| 電圧 - 定格: | 130 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S-4 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S-4 |
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CGHV96050F2 | RF MOSFET HEMT 40V 440210 | 980 注文の詳細 |
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MRFG35002N6T1 | RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C | 3269 注文の詳細 |
 |
VRF3933 | MOSF RF N CH 250V 20A M177 | 894 注文の詳細 |
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CGHV1J025D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | 963 注文の詳細 |
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MRF1513NT1 | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | 2386 注文の詳細 |
 |
MMBF5485 | JFET N-CH 25V 10MA SOT23 | 815 注文の詳細 |
 |
A2I20H060NR1 | IC TRANS RF LDMOS | 972 注文の詳細 |
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CGH40180PP | RF MOSFET HEMT 28V 440199 | 974 注文の詳細 |
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BLF7G24LS-100,112 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 1051 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-230VU | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | 996 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-200GVJ | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | 842 注文の詳細 |
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BLF7G22LS-200,112 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | 838 注文の詳細 |
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BLM8D1822S-50PBGY | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | 808 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10992 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $183.68620 | $183.6862 |
| 50 | $95.51680 | $4775.84 |
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