参考まで
| 部品番号 | MMRF1304GNR1 |
| LIXINC Part # | MMRF1304GNR1 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MMRF1304GNR1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MMRF1304GNR1 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 512MHz |
| 得: | 25.4dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 10 mA |
| 電力出力: | 25W |
| 電圧 - 定格: | 133 V |
| パッケージ・ケース: | TO-270BA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-270-2 GULL |
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GTVA104001FA-V1-R0 | 400W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET | 870 注文の詳細 |
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MMRF5014HR5 | FET RF 125V 2.5GHZ NI360 | 1066 注文の詳細 |
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BLF8G24LS-100VJ | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | 915 注文の詳細 |
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CG2H80015D-GP4 | RF DISCRETE | 852 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-400PGVQ | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | 974 注文の詳細 |
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BLC9H10XS-300PY | BLC9H10XS-300P/SOT1273/REELDP | 940 注文の詳細 |
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CGH35060F2 | 60W GAN HEMT 28V 4.0GHZ FLANGE | 898 注文の詳細 |
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BLF7G27L-100,112 | RF TRANSISTOR | 800 注文の詳細 |
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BF861C,215 | JFET N-CH 25V 25MA SOT23 | 54845 注文の詳細 |
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MRF6VP2600HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1427 注文の詳細 |
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BLF888B,112 | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | 1019 注文の詳細 |
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BLC9G20LS-240PVY | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753 | 975 注文の詳細 |
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MMRF1314GSR5 | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | 804 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10953 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $62.85702 | $62.85702 |
| 500 | $27.63634 | $13818.17 |
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