参考まで
| 部品番号 | MMRF1013HSR5 |
| LIXINC Part # | MMRF1013HSR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MMRF1013HSR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MMRF1013HSR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.9GHz |
| 得: | 13.3dB |
| 電圧 - テスト: | 30 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 320W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4S |
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BLF8G22LS-200V,112 | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | 953 注文の詳細 |
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MRF8S23120HR5 | FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 | 956 注文の詳細 |
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MRF6S20010GNR1 | RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL | 1602 注文の詳細 |
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MCH3309-TL-E | PCH 2.5V DRIVE SERIES | 897 注文の詳細 |
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BLC9G27XS-380AVTY | BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/REELD | 834 注文の詳細 |
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AFT20P140-4WNR3 | RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4 | 1101 注文の詳細 |
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MRF175LU | FET RF 65V 400MHZ 333-04 | 943 注文の詳細 |
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J111RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET | 84909 注文の詳細 |
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BLA9H0912L-700U | BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY | 871 注文の詳細 |
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BLC8G22LS-450AVZ | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 | 839 注文の詳細 |
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SD2932W | IC TRANS RF HF/VHF/UHF | 925 注文の詳細 |
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BLF8G27LS-100V,118 | RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6 | 928 注文の詳細 |
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MRF6S9160HSR3 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | 966 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10962 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $731.03800 | $731.038 |
| 50 | $353.55660 | $17677.83 |
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