参考まで
| 部品番号 | PD20010TR-E |
| LIXINC Part # | PD20010TR-E |
| メーカー | STMicroelectronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PD20010TR-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PD20010TR-E |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | STMicroelectronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2GHz |
| 得: | 11dB |
| 電圧 - テスト: | 13.6 V |
| 定格電流 (アンペア): | 5A |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 150 mA |
| 電力出力: | 10W |
| 電圧 - 定格: | 40 V |
| パッケージ・ケース: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
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BF1204,115 | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | 854 注文の詳細 |
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2N5247 | JFET N-CH 30V TO92 | 7947 注文の詳細 |
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TAV-541+ | SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60 | 966 注文の詳細 |
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MRF101BN | RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 | 1006 注文の詳細 |
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BLF182XRU | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | 918 注文の詳細 |
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BLF6G21-10G,112 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | 890 注文の詳細 |
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MRF6V14300HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 842 注文の詳細 |
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MRF6V12250HR5 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 914 注文の詳細 |
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2N5639RLRA | SMALL SIGNAL FET | 22947 注文の詳細 |
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BLP7G22-05Z | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 840 注文の詳細 |
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BLP8G27-5Z | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | 1218 注文の詳細 |
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CG2H40120F | 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2 | 1163 注文の詳細 |
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MMBF4416 | RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3 | 959 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10833 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $15.54000 | $15.54 |
| 600 | $10.45096 | $6270.576 |
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