参考まで
| 部品番号 | BLP8G27-5Z |
| LIXINC Part # | BLP8G27-5Z |
| メーカー | Ampleon |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BLP8G27-5Z PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BLP8G27-5Z |
| ブランド: | Ampleon |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | Ampleon |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2.14GHz |
| 得: | 18dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 55 mA |
| 電力出力: | 750mW |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | 16-VDFN Exposed Pad |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 16-HVSON (6x4) |
 |
CG2H40120F | 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2 | 1130 注文の詳細 |
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MMBF4416 | RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3 | 924 注文の詳細 |
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AFT05MS003NT1 | IC TRANS RF LDMOS | 1079 注文の詳細 |
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2SK3557-6-TB-E | RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP | 851 注文の詳細 |
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BLS9G2731L-400U | RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A | 920 注文の詳細 |
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BLF7G24LS-100,118 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 810 注文の詳細 |
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MRF5S19060MBR1 | FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 | 893 注文の詳細 |
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BLM7G1822S-40PBY | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | 1106 注文の詳細 |
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SMMBFJ310LT3G | RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 | 4035 注文の詳細 |
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BLM8G0710S-45ABGY | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | 1016 注文の詳細 |
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A2I25D025NR1 | IC TRANS RF LDMOS | 1388 注文の詳細 |
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BLF7G27LS-140,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI | 1014 注文の詳細 |
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BF1205,115 | FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP | 21874 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11216 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $11.45000 | $11.45 |
| 500 | $7.38942 | $3694.71 |
| 1000 | $6.43594 | $6435.94 |
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