参考まで
部品番号 | SI1965DH-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI1965DH-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI1965DH-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SI1965DH-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.3A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 4.2nC @ 8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 120pF @ 6V |
パワー - 最大: | 1.25W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SC-70-6 (SOT-363) |
ALD1101BPAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 857 注文の詳細 |
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FDPC5030SG | MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 | 3924 注文の詳細 |
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UPA2751GR-E1-AT | POWER, N-CHANNEL MOSFET | 3338 注文の詳細 |
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BSS84AKV,115 | MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666 | 19513 注文の詳細 |
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DMC1018UPD-13 | MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 | 925 注文の詳細 |
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CSD83325LT | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR | 1745 注文の詳細 |
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BUK7K13-60EX | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D | 988 注文の詳細 |
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SSM6N35AFU,LF | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 | 3513 注文の詳細 |
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ALD210808SCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | 957 注文の詳細 |
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FDMC7208S | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33 | 1407 注文の詳細 |
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DMN2990UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 | 934 注文の詳細 |
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DMN601DWKQ-7 | MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 | 1446363906 注文の詳細 |
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FDMD85100 | MOSFET 2N-CH 100V | 987 注文の詳細 |
在庫あり | 11346 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
3000 | $0.20634 | $619.02 |
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