RN2507(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2507(TE85L,F)

RN2507(TE85L,F)

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部品番号	RN2507(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN2507(TE85L,F)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN2507(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN2507(TE85L,F) 仕様

部品番号:	RN2507(TE85L,F)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流 - コレクター (ic) (最大):	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50V
抵抗 - ベース (r1):	10kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	47kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移:	200MHz
パワー - 最大:	300mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	SC-74A, SOT-753
サプライヤーデバイスパッケージ:	SMV

RN1507(TE85L,F)	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV	5643 注文の詳細
NHUMD12X	NHUMD12/SOT363/SC-88	3962 注文の詳細
QSH29TR	TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6	3250 注文の詳細
DMA961030R	TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5	16909 注文の詳細
RN2601(TE85L,F)	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6	5903 注文の詳細
NHUMD9F	NHUMD9/SOT363/SC-88	10987 注文の詳細
RN1908,LF(CT	NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH	6854 注文の詳細
EMH2FHAT2R	NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR	8951 注文の詳細
EMH60T2R	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	6515 注文の詳細
PUMH7F	PUMH7/SOT363/SC-88	867 注文の詳細
PUMD14,115	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP	897 注文の詳細
RN2704,LF	PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH	6825 注文の詳細
DMG264020R	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6	838 注文の詳細