DS1230Y-200IND

DS1230Y-200IND
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部品番号 DS1230Y-200IND
LIXINC Part # DS1230Y-200IND
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル DS1230Y-200IND PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1230Y-200IND 仕様

部品番号:DS1230Y-200IND
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Tube
部品の状態:Obsolete
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:NVSRAM
テクノロジー:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
メモリー容量:256Kb (32K x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:200ns
アクセス時間:200 ns
電圧 - 供給:4.5V ~ 5.5V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Through Hole
パッケージ・ケース:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
サプライヤー デバイス パッケージ:28-EDIP

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