MB85R256FPFCN-G-BNDE1

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部品番号 MB85R256FPFCN-G-BNDE1
LIXINC Part # MB85R256FPFCN-G-BNDE1
メーカー Fujitsu Electronics America, Inc.
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MB85R256FPFCN-G-BNDE1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 27 - Oct 31 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MB85R256FPFCN-G-BNDE1 仕様

部品番号:MB85R256FPFCN-G-BNDE1
ブランド:Fujitsu Electronics America, Inc.
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Fujitsu Electronics America, Inc.
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:FRAM
テクノロジー:FRAM (Ferroelectric RAM)
メモリー容量:256Kb (32K x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:150ns
アクセス時間:150 ns
電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
サプライヤー デバイス パッケージ:28-TSOP I

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