CY7C1320KV18-250BZI

CY7C1320KV18-250BZI
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部品番号 CY7C1320KV18-250BZI
LIXINC Part # CY7C1320KV18-250BZI
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル CY7C1320KV18-250BZI PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Nov 01 - Nov 05 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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CY7C1320KV18-250BZI 仕様

部品番号:CY7C1320KV18-250BZI
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Synchronous, DDR II
メモリー容量:18Mb (512K x 36)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:250 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:-
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:165-LBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:165-FBGA (13x15)

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