参考まで
| 部品番号: | 70T653MS12BCI |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| メモリー容量: | 18Mb (512K x 36) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 12ns |
| アクセス時間: | 12 ns |
| 電圧 - 供給: | 2.4V ~ 2.6V |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 256-LBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 256-CABGA (17x17) |
 |
71T75602S100PF | 512K X 36 SYNCHRONOUS ZBT SRAM | 1338 注文の詳細 |
 |
W987D6HBGX7E TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA | 935 注文の詳細 |
 |
93LC46A-E/MS | IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8MSOP | 958 注文の詳細 |
 |
MT58L128L32F1T-7.5 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP | 86545 注文の詳細 |
 |
W632GG6NB-11 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA | 970 注文の詳細 |
 |
GS82564Z36GB-200IV | IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA | 980 注文の詳細 |
 |
AS4C16M16D1A-5TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 877 注文の詳細 |
 |
71V416S10PHGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 974 注文の詳細 |
 |
CAV25320VE-GT3 | IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8SOIC | 29909851 注文の詳細 |
 |
IS43LR32100D-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA | 896 注文の詳細 |
 |
S25FL256SAGMFB003 | IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 808 注文の詳細 |
 |
M48Z12-70PC1 | IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP | 1384 注文の詳細 |
 |
CY7C0831AV-133BBXI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144FBGA | 1922 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10842 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $305.03000 | $305.03 |
| 12 | $300.50800 | $3606.096 |
| 30 | $293.72917 | $8811.8751 |
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