CY7C1612KV18-333BZXC

CY7C1612KV18-333BZXC
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部品番号 CY7C1612KV18-333BZXC
LIXINC Part # CY7C1612KV18-333BZXC
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 QDR SRAM, 8MX18, 0.45NS PBGA165
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル CY7C1612KV18-333BZXC PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 18 - Oct 22 2024(お急ぎ便をお選びください)
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CY7C1612KV18-333BZXC 仕様

部品番号:CY7C1612KV18-333BZXC
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Synchronous, QDR II
メモリー容量:144Mb (8M x 18)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:333 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:-
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:165-LBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:165-FBGA (15x17)

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