参考まで
| 部品番号: | 70V3599S133DRGI |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| メモリー容量: | 4.5Mb (128K x 36) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | 133 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | 4.2 ns |
| 電圧 - 供給: | 3.15V ~ 3.45V |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 208-BFQFP |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 208-PQFP (28x28) |
 |
M24128-BFMN6TP | IC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 824 注文の詳細 |
 |
CY62157DV30L-55ZSXE | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | 1514 注文の詳細 |
 |
W29N01HVBINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 993 注文の詳細 |
 |
CY7C25702KV18-550BZXC | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA | 921 注文の詳細 |
 |
AS4C8M16D1A-5TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | 992 注文の詳細 |
 |
IS61DDP2B21M18A-400M3L | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | 984 注文の詳細 |
 |
MT53D512M32D2DS-046 IT:D | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | 915 注文の詳細 |
 |
BR93G66FV-3BGTE2 | IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8SSOPB | 3301 注文の詳細 |
 |
SST26VF080AT-104I/SN | IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 3752 注文の詳細 |
 |
BR24T32FVT-WE2 | IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP | 881 注文の詳細 |
 |
CY62157EV18LL-45BVXI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | 1154 注文の詳細 |
 |
CY27C256A-200QMB | UVPROM, 32KX8, 200NS CQCC32 | 1297 注文の詳細 |
 |
CY7C1387D-167AXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | 1298 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10856 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $196.00750 | $196.0075 |
| 12 | $150.14104 | $1801.69248 |
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