参考まで
部品番号 | IPD50R2K0CEBTMA1 |
LIXINC Part # | IPD50R2K0CEBTMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | CONSUMER |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD50R2K0CEBTMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPD50R2K0CEBTMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
BSS169L6906HTSA1 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 819 注文の詳細 |
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2SK4151TZ-E | MOSFET N-CH 150V 1A TO92 | 821 注文の詳細 |
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NTDV5804NT4G | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK | 862 注文の詳細 |
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AON1606_001 | MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN | 881 注文の詳細 |
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SPP80N06S2L-06 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 998 注文の詳細 |
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DMG4N65CTI | MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB | 908 注文の詳細 |
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SIRA34DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 983 注文の詳細 |
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STP4NB50 | MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB | 999 注文の詳細 |
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NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH 40V 36A TO263 | 974 注文の詳細 |
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AON6752 | MOSFET N-CH 30V 54A/85A 8DFN | 931 注文の詳細 |
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SPP42N03S2L13 | MOSFET N-CH 30V 42A TO220-3 | 955 注文の詳細 |
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IRFR3706TRL | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | 819 注文の詳細 |
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BSC889N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON | 974 注文の詳細 |
在庫あり | 10923 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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