IRLW630ATM

IRLW630ATM
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部品番号 IRLW630ATM
LIXINC Part # IRLW630ATM
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRLW630ATM PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRLW630ATM 仕様

部品番号:IRLW630ATM
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:9A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V
(最大) @ id、vgs の rds:400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:27 nC @ 5 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:755 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:I2PAK (TO-262)
パッケージ・ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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