IRF6709S2TR1PBF

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部品番号 IRF6709S2TR1PBF
LIXINC Part # IRF6709S2TR1PBF
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRF6709S2TR1PBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRF6709S2TR1PBF 仕様

部品番号:IRF6709S2TR1PBF
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:12A (Ta), 39A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:7.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.35V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:12 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1010 pF @ 13 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1.8W (Ta), 21W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DIRECTFET S1
パッケージ・ケース:DirectFET™ Isometric S1

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