参考まで
部品番号 | IRF640,127 |
LIXINC Part # | IRF640,127 |
メーカー | NXP Semiconductors |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF640,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF640,127 |
ブランド: | NXP Semiconductors |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | NXP Semiconductors |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 180mOhm @ 8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1850 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 136W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
AO3401L | MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23-3 | 839 注文の詳細 |
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IRF9610L | MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK | 960 注文の詳細 |
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IRFSL9N60ATRR | MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK | 848 注文の詳細 |
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IRF7406GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO | 938 注文の詳細 |
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IRF1010ZS | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 1000 注文の詳細 |
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AO4484_101 | MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC | 889 注文の詳細 |
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TSM13N50ACZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220 | 890 注文の詳細 |
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STP120N10F4 | MOSFET N-CH 100V TO-220 | 911 注文の詳細 |
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IPB048N06LGATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 840 注文の詳細 |
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SUD50N10-18P-E3 | MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252 | 873 注文の詳細 |
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AOL1206 | MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8 | 865 注文の詳細 |
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NP88N04KUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 88A TO263 | 864 注文の詳細 |
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2SK3128(Q) | MOSFET N-CH 30V 60A TO3P | 822 注文の詳細 |
在庫あり | 10830 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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