参考まで
| 部品番号 | RJK0629DPE-00#J3 |
| LIXINC Part # | RJK0629DPE-00#J3 |
| メーカー | Renesas Electronics America |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RJK0629DPE-00#J3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RJK0629DPE-00#J3 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 85A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 4.5mOhm @ 43A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 85 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4100 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 100W (Tc) |
| 動作温度: | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 4-LDPAK |
| パッケージ・ケース: | SC-83 |
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IRFR9N20DTRLPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | 874 注文の詳細 |
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SPN03N60S5 | MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4 | 893 注文の詳細 |
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IRL3103D2S | MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK | 841 注文の詳細 |
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SIR808DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 | 817 注文の詳細 |
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IRF3711ZPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB | 862 注文の詳細 |
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IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B | 938 注文の詳細 |
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IRF1405Z | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 847 注文の詳細 |
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FDB5800_F085 | MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK | 909 注文の詳細 |
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IRFZ48ZL | MOSFET N-CH 55V 61A TO262 | 856 注文の詳細 |
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IXTQ180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO3P | 971 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10881 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 2500 | $0.0000 | $0 |
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