NTHS2101PT1G

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部品番号 NTHS2101PT1G
LIXINC Part # NTHS2101PT1G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NTHS2101PT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTHS2101PT1G 仕様

部品番号:NTHS2101PT1G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):8 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:5.4A (Tj)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.8V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:30 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2400 pF @ 6.4 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1.3W (Ta)
動作温度:-
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:ChipFET™
パッケージ・ケース:8-SMD, Flat Lead

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