参考まで
部品番号 | 2SK1342-E |
LIXINC Part # | 2SK1342-E |
メーカー | Renesas Electronics America |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 900V 8A TO3P |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK1342-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 2SK1342-E |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.6Ohm @ 4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1730 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 100W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3P |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
PHD18NQ10T,118 | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | 827 注文の詳細 |
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SPD04N80C3BTMA1 | MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3 | 805 注文の詳細 |
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IRFS23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK | 976 注文の詳細 |
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AO3485C | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 | 916 注文の詳細 |
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IRLSL3034PBF | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | 970 注文の詳細 |
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SIHFPS43N50K-GE3 | MOSFET N-CH 500V SUPER-247 | 930 注文の詳細 |
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IRLR8503 | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK | 897 注文の詳細 |
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IRF7326D2 | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 912 注文の詳細 |
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AO4710L_101 | MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SOIC | 913 注文の詳細 |
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IRL3715TRL | MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | 976 注文の詳細 |
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IPD05N03LA G | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 | 891 注文の詳細 |
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SI7407DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 | 828 注文の詳細 |
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IRF6611TR1 | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | 906 注文の詳細 |
在庫あり | 10842 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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