参考まで
部品番号 | BST72A,112 |
LIXINC Part # | BST72A,112 |
メーカー | NXP Semiconductors |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 190MA TO92-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BST72A,112 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 24 - Sep 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BST72A,112 |
ブランド: | NXP Semiconductors |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | NXP Semiconductors |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 190mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 10Ohm @ 150mA, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | 20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 40 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 830mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-92-3 |
パッケージ・ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
DMTH10H030LK3-13 | MOSFET N-CH 100V 28A TO252-4L | 896 注文の詳細 |
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STD35N3LH5 | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | 838 注文の詳細 |
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PHP112N06T,127 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 945 注文の詳細 |
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SI4472DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO | 993 注文の詳細 |
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BSS84_D87Z | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | 827 注文の詳細 |
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FDS8449-F085P | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC | 810 注文の詳細 |
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IRFSL4615PBF | MOSFET N-CH 150V 33A TO262 | 802 注文の詳細 |
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IRL3714S | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 829 注文の詳細 |
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FQD7P20TF | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | 936 注文の詳細 |
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BSS192PE6327T | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 | 858 注文の詳細 |
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SI7405BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 | 935 注文の詳細 |
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IRFSL9N60A | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3 | 812 注文の詳細 |
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SI4823DY-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 4.1A 8SO | 831 注文の詳細 |
在庫あり | 10847 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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