BSC085N025S G

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部品番号 BSC085N025S G
LIXINC Part # BSC085N025S G
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル BSC085N025S G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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BSC085N025S G 仕様

部品番号:BSC085N025S G
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:14A (Ta), 35A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:8.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:14 nC @ 5 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1800 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TDSON-8-1
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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