STS4DNFS30L

STS4DNFS30L
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部品番号 STS4DNFS30L
LIXINC Part # STS4DNFS30L
メーカー STMicroelectronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル STS4DNFS30L PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STS4DNFS30L 仕様

部品番号:STS4DNFS30L
ブランド:STMicroelectronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:STMicroelectronics
シリーズ:STripFET™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:55mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:9 nC @ 5 V
vgs (最大):±16V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:330 pF @ 25 V
フェチ機能:Schottky Diode (Isolated)
消費電力 (最大):2W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SO
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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