参考まで
部品番号 | IRF5805 |
LIXINC Part # | IRF5805 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF5805 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF5805 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.8A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 98mOhm @ 3.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 511 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta) |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Micro6™(TSOP-6) |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
2N6661JTXL02 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 | 880 注文の詳細 |
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IPI65R600C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3 | 899 注文の詳細 |
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NVMFS5C410NT3G | MOSFET N-CH 40V 5DFN | 982 注文の詳細 |
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ZXMN6A09KTC | MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3 | 3317 注文の詳細 |
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FDD3682-F085 | MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA | 942 注文の詳細 |
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APT15F50K | MOSFET N-CH 500V 15A TO220 | 989 注文の詳細 |
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BSS138W L6433 | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 | 832 注文の詳細 |
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EPC2010 | GANFET N-CH 200V 12A DIE | 800 注文の詳細 |
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AOH3110 | MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 | 886 注文の詳細 |
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IRFS4710PBF | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 895 注文の詳細 |
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SPP80N06S2-H5 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 953 注文の詳細 |
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NTB45N06LG | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK | 998 注文の詳細 |
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64-2042 | MOSFET N-CH 40V 75A TO262 | 947 注文の詳細 |
在庫あり | 10877 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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