参考まで
部品番号 | EPC2010 |
LIXINC Part # | EPC2010 |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 200V 12A DIE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2010 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2010 |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Discontinued at Digi-Key |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 25mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 3mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7.5 nC @ 5 V |
vgs (最大): | +6V, -4V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 540 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die |
パッケージ・ケース: | Die |
AOH3110 | MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 | 966 注文の詳細 |
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IRFS4710PBF | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 991 注文の詳細 |
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SPP80N06S2-H5 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 934 注文の詳細 |
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NTB45N06LG | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK | 814 注文の詳細 |
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64-2042 | MOSFET N-CH 40V 75A TO262 | 827 注文の詳細 |
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FQD5P20TM_F080 | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | 949 注文の詳細 |
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IRFIB6N60A | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3 | 941 注文の詳細 |
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IPU04N03LA | MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3 | 829 注文の詳細 |
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R6024ENZ1C9 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 | 853 注文の詳細 |
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SUD50N03-11-E3 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252 | 803 注文の詳細 |
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RJK6002DPH-E0#T2 | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | 968 注文の詳細 |
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STB80PF55T4 | MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK | 968 注文の詳細 |
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ATP212-S-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK | 838 注文の詳細 |
在庫あり | 10976 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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