参考まで
部品番号 | 2SK1339-E |
LIXINC Part # | 2SK1339-E |
メーカー | Renesas Electronics America |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 900V 3A TO3P |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK1339-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 2SK1339-E |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 425 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 80W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3P |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
APT130SM70B | SICFET N-CH 700V 110A TO247-3 | 813 注文の詳細 |
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IXTQ80N28T | MOSFET N-CH 280V 80A TO3P | 823 注文の詳細 |
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SI4462DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO | 832 注文の詳細 |
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IPD06P002NATMA1 | MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 | 831 注文の詳細 |
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AOTF10N60L | MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F | 957 注文の詳細 |
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SI4493DY-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SO | 959 注文の詳細 |
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STP80NE03L-06 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB | 937 注文の詳細 |
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NTD5865NL-1G | MOSFET N-CH 60V 46A IPAK | 834 注文の詳細 |
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FDD6N50TF | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | 930 注文の詳細 |
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SI1305EDL-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3 | 902 注文の詳細 |
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2SK2715TL | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 875 注文の詳細 |
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IRF6633TRPBF | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET | 919 注文の詳細 |
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IRF7353D1PBF | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO | 917 注文の詳細 |
在庫あり | 10812 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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